(☆゜o゜)阪大笠井教授がＲｅＲＡＭの電気が流れるメカニズムを解明。

ＳＯＵＲＣＥ　時事通信　９／８
http://www.jiji.com/jc/zc?k=201109/2011090800010

あーるいーらむ
フラッシュメモリの有望後継。
電圧を加えることで抵抗の値が変化する材料を
データ記録の素子として用いる。

高速で、書き換え可能な、大容量の、不揮発メモリー　ニーズに応える。

日刊工業新聞９／８：
研究では量子力学に基づいて原子や電子の振る舞いを計算する手法を用い、ＲｅＲ
ＡＭの電圧をかけた状態を解析。遷移金属酸化物（酸化ハフニウム）層にある酸素
の抜け殻となった微小空間の周辺に電子が集まり、伝導パスが形成されることを発
見した。また酸素の抜け殻ができやすい結晶構造もわかった。

参考：ＮＥＤＯ事業で　シャープとアルバックと産総研と阪大が共同研究
http://eetimes.jp/column/3848

参考：ＮＥＣのＲｅＲＡＭ高信頼化技術　積層することで安定　２００９．１２
http://www.nec.co.jp/press/ja/0912/1003.html

参考：パナソニックは２０１２年に量産化計画　２０１１．５　ＴｅｃｈＯｎ
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20110517/191858/
たとえば、フラッシュメモリをＲｅＲＡＭに変えると消費電力を抑えられる